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代理 场效应管 KIA50N06,FQP50N06,50N06

价 格: 面议
漏极电流:50A
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:KIA50N06A,MOS,60V,50A, FQP50N06,MOS,60V,50A
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:KIA
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:±20
导电方式:增强型
极间电容:1220

产品型号:KIA50N06

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):50

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):130

极间电容Ciss(PF):900 TYP.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,50A N-Channel PowerTrench MOSFET

 

产品型号:FQP50N06

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):50

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):120

极间电容Ciss(PF):1180 TYP.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):22

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):490

温度(℃): -55 ~175

描述:60V,50A N-Channel MOSFET

 

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深圳市金城微零件有限公司
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信息内容:

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场效应管 STK1820F,STK1625,STK1625F

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