价 格: | 面议 | |
漏极电流: | 50A | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
型号/规格: | KIA50N06A,MOS,60V,50A, FQP50N06,MOS,60V,50A | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | KIA | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
夹断电压: | ±20 | |
导电方式: | 增强型 | |
极间电容: | 1220 |
产品型号:KIA50N06
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):130
极间电容Ciss(PF):900 TYP.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,50A N-Channel PowerTrench MOSFET
产品型号:FQP50N06
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):120
极间电容Ciss(PF):1180 TYP.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):22
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):490
温度(℃): -55 ~175
描述:60V,50A N-Channel MOSFET
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STK0825F,TO-220F,AUK,07NPB,DIP/MOS,250V,8A,0.4Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话STK1040F,TO-220F,AUK,08NPB,DIP/MOS,400V,10A,0.53Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话STK0460F,TO-220F,AUK,08NPB,DIP/MOS,600V,4A,2.5Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话STK0760F,TO-220F,AUK,08NPB,DIP/MOS,600V,7A,1.2Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应!MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.250V MOSFET场效应管系列:2SK2250 FUJ SOT-252 N场 250V 2AIRF634N IR TO-220 N场 250V 8.1AIRFS244B FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 10.2AFQP9N25 FAIRCHILD TO-220 N场 250V 9AFDA64N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 64AIRF654B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 21AIRF644B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 14AFQA27N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 27AIRFU224B FAIRCHILD TO-251 N场 250V 3.8A2SK1221 FUJ TO-220 N场 2...