价 格: | 0.80 | |
品牌: | LT/凌特 | |
型号: | AP18T10GH TO-252 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1~3(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 4000000(μS) | |
极间电容: | 450(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 2500(mW) |
N-MOSFET, VDS=100V, ID=9A, TO-252,
160mΩ@VGS=10V,ID=5A,
"
VDS=60V, ID=3.5A, SOP-8,RDS(ON) < 100mΩ @VGS = 10V, ID = 3A;RDS(ON) < 110mΩ @VGS = 4.5V, ID = 2A;
N-MOSFET, VDS=100V, ID=36A(TC=100℃), TO-220AB & TO-263RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A;