价 格: | 4.00 | |
品牌: | LT/凌特 | |
型号: | FQP55N10 TO-220AB & FQB55N10 TO-263 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1.5~4(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 38000000(μS) | |
极间电容: | 4900(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 55000(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
N-MOSFET, VDS=100V, ID=36A(TC=100℃), TO-220AB & TO-263
RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A;
N-MOS, VDS=40V, ID=54A(TC=100°C),TO-263, RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = 10V, ID = 25A; RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 4.5V, ID = 16A;
VDS=40V, ID=21A,SOP-8,RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = 10V, ID = 12A;RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V, ID = 10A;"