让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>FQP55N10 TO-220AB & FQB55N10 TO-263

FQP55N10 TO-220AB & FQB55N10 TO-263

价 格: 4.00
品牌:LT/凌特
型号:FQP55N10 TO-220AB & FQB55N10 TO-263
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:1.5~4(V)
夹断电压:100(V)
跨导:38000000(μS)
极间电容:4900(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:55000(mA)
耗散功率:3000(mW)

N-MOSFET, VDS=100V, ID=36A(TC=100℃), TO-220AB & TO-263

RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A;

 

深圳市澜腾达科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邓聪
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

SUM60N08B(稍好于SUM70N04-07L)

信息内容:

N-MOS, VDS=40V, ID=54A(TC=100°C),TO-263, RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = 10V, ID = 25A; RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 4.5V, ID = 16A;

详细内容>>

SI4124DS SOP-8

信息内容:

VDS=40V, ID=21A,SOP-8,RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = 10V, ID = 12A;RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V, ID = 10A;"

详细内容>>

相关产品