价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD1851RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | D/变频换流 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3(V) | |
跨导: | 50000(μS) | |
极间电容: | 1480(pF) | |
漏极电流: | 50000(mA) | |
耗散功率: | 45000(mW) |
N-Channel Trench MOSFET 45V, 50A, 9.0m
VDS = 45V
ID = 50A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 9.0m? @ VGS = 10V
< 11.5m? @ VGS = 4.5V
封装形式:TO-252
结温范围:-55 ~ 150°C
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输入延迟:50µs输出延时:50µs电源电压范围:6到 24V封装类型:PowerSO-10针脚数:10工作温度范围:-40°C 到 150°C封装类型:PowerSOIC电源电压 :24V电源电压 最小:6V表面安装器件:表面安装"
•VDS=60V•ID=0.34A•RDS(ON)=2.5Ω•耗散功率:PD=0.33W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 150°C "