价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD5N50RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 500(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 500(pF) | |
漏极电流: | 4400(mA) | |
耗散功率: | 70000(mW) |
•ID=4.4A VDS=500V
•导通电阻:R≤1.4Ω
•封装形式:TO-252
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•耗散功率:70W
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适用于:LED\\TV,PFC,开关电源•VDS=400V ID=1.5A•导通电阻:RDS(ON)≤3.4Ω•封装形式:SOT-223•耗散功率:2.1W•工作温度范围:-55 ~ 150°C "
N-Channel Trench MOSFET 45V, 50A, 9.0m VDS = 45VID = 50A @VGS = 10VRDS(ON)< 9.0m? @ VGS = 10V< 11.5m? @ VGS = 4.5V封装形式:TO-252结温范围:-55 ~ 150°C "