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供应原装2SK2101场效应管

价 格: 1.00
品牌/商标:FUJI/富士通
型号/规格:2SK2101
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:HF/高频(射频)放大
封装外形:WAFER/裸芯片
材料:N-FET硅N沟道

 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购

产品种类:MOSFET 功率
 

 

RoHS:dzsc/18/8773/18877379.jpg 详细信息
配置:Single
 

 

晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
 

 

汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
 

 

漏极连续电流:2 A
功率耗散:2 W
 

 

安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:MPT3

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
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信息内容:

原装现货,欢迎查询产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/8789/18878994.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms 汲极/源极击穿电压:800 V闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流:8 A功率耗散:85 W 工作温度: 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-3P(N)IS封装:Bulk 最小工作温度:- 55 C

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信息内容:

原装现货,欢迎查询RoHS:dzsc/18/9973/18997325.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值):6.29汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流:8.4 A 功率耗散:32 W工作温度: 150 C 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK 封装:Reel最小工作温度:- 55 C

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