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供应原装2SK2655场效应管

价 格: 1.00
品牌/商标:FUJI/富士通
型号/规格:2SK2655
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DIFF/差分放大
封装外形:WAFER/裸芯片
材料:GE-N-FET锗N沟道

原装现货,欢迎查询

产品种类:MOSFET 功率
 

 

RoHS:dzsc/18/8789/18878994.jpg 详细信息
配置:Single
 

 

晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.2 Ohms
 

 

汲极/源极击穿电压:800 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
 

 

漏极连续电流:8 A
功率耗散:85 W
 

 

工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-3P(N)IS
封装:Bulk
 

 

最小工作温度:- 55 C

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
  • 传真:0755-83957788
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信息内容:

原装现货,欢迎查询RoHS:dzsc/18/9973/18997325.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值):6.29汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流:8.4 A 功率耗散:32 W工作温度: 150 C 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK 封装:Reel最小工作温度:- 55 C

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信息内容:

现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0023/19002300.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):3 Ohms 汲极/源极击穿电压:500 V闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流:2 A功率耗散:20 W 工作温度: 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:CPT3封装:Reel 最小工作温度:- 55 CStandard Pack Qty:2500

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