| 价 格: | 0.10 | |
| 品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号: | 2SK2611 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 0(V) | |
| 夹断电压: | 0(V) | |
| 跨导: | 0(μS) | |
| 极间电容: | 0(pF) | |
| 低频噪声系数: | 0(dB) | |
| 漏极电流: | 0(mA) | |
| 耗散功率: | 0(mW) |
High Speed,High Voltage Switching Application N Channel MOSFET(高速大电流转换用 N沟道 MOS场效应管)
深圳市永恒伟业电子有限公司是一家的电子元器件分销服务商,是多家国际半导体厂商在中国的现货供应商。拥有50多家知名品牌的元器件供应渠道,产品货源充足,可为客户提供稳定、准时、快速的:现货供配,物料配套以及偏门、紧缺器件的订货服务。公司分销ST,TOSHIBA,NSC, SILICON, NXP,EPCOS,MURATA,等国际品牌。"
数据列表IRF3205产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 62A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs146nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3247pF @ 25V功率 - 200W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件