价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | MMFT960 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3.5(V) | |
极间电容: | 65(pF) | |
漏极电流: | 300(mA) | |
耗散功率: | 800(mW) |
•VDS=60V
•ID=0.3A
•RDS(ON)=1.7Ω
•封装形式:SOT-223
•耗散功率:PD=0.8W @TC=25°C
•工作温度范围:-65 ~ 150°C
•ID=4.4A VDS=500V •导通电阻:R≤1.4Ω •封装形式:TO-252 •工作温度范围:-55 ~ 150°C •耗散功率:70W "
适用于:LED\\TV,PFC,开关电源•VDS=400V ID=1.5A•导通电阻:RDS(ON)≤3.4Ω•封装形式:SOT-223•耗散功率:2.1W•工作温度范围:-55 ~ 150°C "