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台产原厂高压MOS管 PmU2N60, PmD2N60, PmF2N60, 2N60

价 格: 0.10
品牌/商标:Pm
型号/规格:Pm2N60
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SP/特殊外形

PmU2N60PmD2N60PmF2N60PmP2N60

- 600V N-TYPE MOSFET

- Id=2A

- Rds(on) ≤ 4.4Ω max. @Vgs=10V

- 100% Final tested (100%全功能测试)

- Pb free (无鉛), Halogne free available (可提供环保封装)

- 封装:TO-251, TO-252, TO-220F, TO-220

料号

沟道

封装

耐流

耐压

Vth

min/max

Vgs

內阻typ/max @Vgs

备注

120412

10V

4.5V

2.5V

1.8V

PmU2N60

PmD2N60

PmF2N60

PmP2N60

N

TO-251

TO-252

TO-220F

TO-220

2

600

2.5/4.5

±30

3.9/4.4

    

批量库存现货,价格特优,有需要请与我们TEL:0755-83000034连系。

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韦若静
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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AO3406- 30V N-type MOSFET- Id=3.6A- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=10V- Rds(on)≤78mΩ @Vgs=4.5V- 封装:SOT23料号沟道封装耐流耐压VgsVthmax.Qg(typ.)內阻max.@Vgs备注10V4.5V2.5V1.8VAO3406NSOT233.630±202.5 5578 如有任何问题或需求,请与本公司业务单位连系。"

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台产原厂高压MOS管 PmU4N60, PmD4N60, PmF4N60, 4N60

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PmU4N60/PmD4N60/PmF4N60/PmP4N60- 600V N-TYPE MOSFET- Id=4A- Rds(on) ≤ 2.5Ω max. @Vgs=10V- 100% F/T with avalanche tested (100%全功能测试並经雪崩测试)- Pb free (无鉛), Halogne free available (可提供环保封装)- 封装:TO-251, TO-252, TO-220F, TO-220料号沟道封装耐流耐压Vthmin/maxVgs內阻typ/max @Vgs备注12041210V4.5V2.5V1.8VPmU4N60PmD4N60PmF4N60 PmP4N60NTO-251TO-252TO-220F TO-22046002.5/4.5±302.2/2.5 批量库存现货,价格特优,有需要请与我们TEL:0755-83000034连系。"

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