价 格: | 0.01 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | AO3406 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | AOS/美国万代 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
AO3406
- 30V N-type MOSFET
- Id=3.6A
- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=10V
- Rds(on)≤78mΩ @Vgs=4.5V
- 封装:SOT23
料号 | 沟道 | 封装 | 耐流 | 耐压 | Vgs | Vth max. | Qg (typ.) | 內阻max.@Vgs | 备注 | |||
10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | |||||||||
AO3406 | N | SOT23 | 3.6 | 30 | ±20 | 2.5 |
| 55 | 78 |
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"PmU4N60/PmD4N60/PmF4N60/PmP4N60- 600V N-TYPE MOSFET- Id=4A- Rds(on) ≤ 2.5Ω max. @Vgs=10V- 100% F/T with avalanche tested (100%全功能测试並经雪崩测试)- Pb free (无鉛), Halogne free available (可提供环保封装)- 封装:TO-251, TO-252, TO-220F, TO-220料号沟道封装耐流耐压Vthmin/maxVgs內阻typ/max @Vgs备注12041210V4.5V2.5V1.8VPmU4N60PmD4N60PmF4N60 PmP4N60NTO-251TO-252TO-220F TO-22046002.5/4.5±302.2/2.5 批量库存现货,价格特优,有需要请与我们TEL:0755-83000034连系。"
PmN1N60/PmU1N60/PmD1N60- 600V N-TYPE MOSFET- Id=1A- Rds(on) ≤ 9Ω max. @Vgs=10V- 100% Final tested (100%全功能测试)- Pb free (无鉛), Halogne free available (可提供环保封装)- 封装:TO-92, TO-251, TO-252料号沟道封装耐流耐压Vthmin/maxVgs內阻typ/max @Vgs备注12041210V4.5V2.5V1.8VPmN1N60PmU1N60PmD1N60NTO-92TO-251TO-25216002.5/4.5±309.0 批量库存现货,价格特优,有需要请与我们TEL:0755-83000034连系。"