场效应 2SK3798 2SK3799 K3798 K3799
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK3798,MOS,900V,4A,3.5Ω 2SK3799,MOS,900V,8A,1.3Ω,220F | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 夹断电压： | ±30（V） | |
| 跨导： | 2.8S/6S（μS） | |
| 极间电容： | 800/2200（pF） | |
| 漏极电流： | 4A/8A（mA） | |
| 耗散功率： | 40W/50W（mW） |
2SK3798,MOS,900V,4A,3.5Ω 2SK3799,MOS,900V,8A,1.3Ω,220F
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
900V N沟道 场效应管（MOSFET）:
2SK2767 FUJ TO-220
FQP2N90 FAIRCHILD TO-220
SSP3N90A FAIRCHILD TO-220
2SK3566 TOSHIBA TO-220F
FS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220F
SSS3N90A FAIRCHILD TO-220F
STF3HNK90Z ST TO-220F
2SK2654 FUJ TO-3P
2SK2850 FUJ TO-3P
2SK962 FUJ TO-3P
FQA11N90 FAIRCHILD TO-3P
FQA5N90A FAIRCHILD TO-3P
FQA9N90C FAIRCHILD TO-3P
SSH5N90 FAIRCHILD TO-3P
FQAF7N90 FAIRCHILD TO-3PF
1000V N沟道 场效应管（MOSFET）:
FQD2N100-729 FAIRCHILD SOT-252
IRFBG30 IR TO-220
IRFPG30 IR TO-247
IRFPG40 IR TO-247
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场效应管 IPD14N03L IPD14N03
信息内容：dzsc/18/8770/18877061.jpgIPD14N03LA,MOS,25V,30A,0.0136Ω,252"
场效应管 2SK2652 2SK2652-01 K2652
信息内容：产品型号:2SK2652-01封装:TO-3P源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):6源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.5功率PD(W):125极间电容Ciss(PF):900通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4单脉冲雪崩能量EAS(mJ):277温度(℃): -55 ~150描述:900V,6A N-channel MOSFET应用:开关调节器UPSDC-DC变换器通用电源功放如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
