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供应 美格拉(纳)MOS 管—MDD2602RH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD2602RH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DC/直流
封装外形:CHIP/小型片状
开启电压:2.7(V)
跨导:30000(μS)
极间电容:1930(pF)
漏极电流:58000(mA)
耗散功率:40300(mW)

     Single N-channel Trench MOSFET 30V, 58.0A, 6.0mΩ

     美格拉产品广泛应用于E-bikePDVDDSCPMP/MP3VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护(PCM/BP)等产品充电器,电源,负载开头,逆变器等MDD3N50RHMDP5N50THMDF5N50THMDD5N50RHMDI5N50THMDP7N50THMDF7N50TH
控制器,转换器,家用电器,智能电源MDP7N50THMDF7N50THMDP9N50TH

MDF9N50THMDP10N50THMDF10N50THMDP12N50THMDF12N50TH

MDP13N50THMDF13N50THMDP18N50THMDF18N50THMDQ18N50TH

MDP5N50FTHMDF5N50FTHMDD5N50FTHMDP9N50FTHMDF9N50FTH
节能灯,开关电源,LCD显示器,机箱MDI3N40THMDD3N40RHMDHT3N40THMDI5N40RHMDD5N40RHMDHT5N40THMDD3N50RHMDP5N50TH

MDF5N50TH MDZ1N60RHMDI1N60THMDP2N60THMDF2N60THMDI2N60THMDD2N60THMDP4N60THMDF4N60THMDI4N60THMDD4N60TH

MDP6N60THMDF6N60THMDI6N60THMDD6N60THMDP7N60TH

MDF7N60THMDP8N60THMDF8N60THMDP9N60THMDF9N60TH

MDP11N60THMDF11N60TH

上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

l Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements

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供应MDQ18N50GTP 美格拉高压MOS 原装

信息内容:

N-Channel MOSFET 500V, 20.0 A, 0.27Ω适用于:电源,HID,照明 FeaturesVDS = 500VID = 20.0A @VGS = 10VRDS(ON) ≤ 0.27 @VGS = 10V 封装形式:TO-247温度范围:-55~150°C "

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