价 格: | 6.20 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDQ18N50GTP | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 13000(μS) | |
极间电容: | 1724(pF) | |
漏极电流: | 20000(mA) | |
耗散功率: | 265000(mW) |
N-Channel MOSFET 500V, 20.0 A, 0.27Ω
适用于:电源,HID,照明
Features
VDS = 500V
ID = 20.0A @VGS = 10V
RDS(ON) ≤ 0.27 @VGS = 10V
封装形式:TO-247
温度范围:-55~150°C
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Features 7A, 650V, RDS(on) = 1.4Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 28 nC) Low Crss ( typical 12 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability
N-Channel 1500V-5Ω-4A 高压MOS 适用于开关电源 • VDS=1500V • ID=4A• 导通电阻:R=5Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C 上海贝臣电子只做原装,欢迎访问http://basean.cn.alibaba.com/