价 格: | 0.01 | |
品牌: | PJ/普罗强生 | |
型号: | 3N50 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 500(V) | |
夹断电压: | 500(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 3(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
产品名称 | 产品类型 | 封装类别 | 应用领域 | 典型参数 | 产品特性说明 | ||
ID (A) | VDSS(V) | RDS(ON)Ω |
3N50 | 场效应晶体管 | TO220 / TO220F | 电子整流器、 常压节能灯 | 3 | 500 | 2.8 | 3N50是N沟道增强型场效应晶体管,主要用于电子整流器、常压节能灯等应用电路。 其特点如下: 1.低栅极电荷 2. 低Crss 3.开关速度快 4.产品全部经过雪崩测试 5.高抗dv/dt 能力 6.RoHS 产品 |
公司供应型号:
200V及以下系列:3170,540,630,640,75N75,90N03;
400V--500V系列:730,740;3N50,830,840;
600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60,7N60,8N60,10N60,12N60
公司供应型号:650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;500V系列:BF830,BF840;400V系列:BF730,BF740;200V系列:BF630,BF640;100V系列:BF540,BF3710,BF3410;75V系列:75NF75;60V系列:50N06;55V系列:BF3205;N-30V系列:2304,3010S,3050K,3080K,30H10,30H21;P-30V系列:3401,3407,9435,4953,4403,4435,3013S;N-20V系列:2302,8201;P-20V系列:2301;P-8V系列:2305
此价格不是产品的价格,具体价格请与本人联系4A四象限双向可控硅 无铅产品 BT136系列产品型号Part Number通态电流(有效值)IT(RMS)(A)断态/反向重复峰值电压VDRM/VRRM(V)门极触发电流(值)IGTMax(mA)封装形式Package产品规格书DatasheetT2 G T2 G-T2-G-T2-G BT136-500D450055510TO-220AB-phdzsc/18/8782/18878284.jpg点击下载产品规格书BT136-500E10101025BT136-600D60055510BT136-600E10101025BT136-600F25252570BT136-60035353570BT136-600G505050100BT136-800E80010101025 • 承接贴牌定制 包装说明TO-220AB数量体积(mm×mm×mm)重量(kg)管装料管包装50534 内包装箱1000560×178×35 外包装箱10000585×385×22015袋装塑料袋200190×130 内包装箱2000245×170×100 外包装箱10000385×305×27014