| 价 格: | 0.10 | |
| 品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号: | 2SK4107 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | MES金属半导体 | |
| 开启电压: | 1(V) | |
| 夹断电压: | 1(V) | |
| 低频跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
| 部件型号 | 2SK4107 | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 15 A | |
| 漏功耗PD | 150 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 48 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.4 Ω | |
| 封装 | TO-3P(N) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) |
部件型号TK8A50D 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID8 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)16 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.85 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)
部件型号2SK3078A 极性N沟 用途FRS/GMRS(470MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C10 V 泄漏电流ID@Tc=25°C500 mA 功耗PD@Tc=25°C, max3 W 输出功率PO(最小)0.63WVDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C封装PW-Mini(4.6 x 4.2) 管脚数3 产品分类RF功率MOSFET