价 格: | 0.10 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | 2SK2855 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MAP/匹配对管 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
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部件型号2SK4107 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)48 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.4 Ω 封装TO-3P(N) 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)"
部件型号TK8A50D 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID8 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)16 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.85 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)