供应场效应管1N60 DG1N60 TO-220 原装
| 价 格： | 0.45 | |
| 品牌： | 东光 | |
| 型号： | 1N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 夹断电压： | 650（V） | |
| 跨导： | 4000（μS） | |
| 极间电容： | 8（pF） | |
| 低频噪声系数： | 23（dB） | |
| 漏极电流： | 100（mA） | |
| 耗散功率： | 250（mW） |
原厂直销，价格优惠，质量保证！
产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(符号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏极电流 | I d | 1 | A |
| 栅源电压 | V gs | ±30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 40 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 3.13 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
- 所属城市：广东 东莞
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- 电话：0769-89001930
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供应场效应管4N60 DG4N60 TO-220 原装
信息内容：产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d4.4A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as260mJ耗散功率P d106W储存温度T stg-55～150℃热阻（结到壳）R jc1.18℃/W正向压降V sd1.4V
低价供应直插三极管S9013 一级货源
信息内容：dzsc/18/9992/18999297.jpg直插三极管S9013 TO-92 现货热销 Complimentary to 9014•Collector Current: IC=0.5A•Collector Power Dissipation: PC=0.625W (TC=25×C)Absolute Maximum Ratings Ta=25×C unless otherwise notedElectrical Characteristics Ta=25×C unless otherwise notedhFEClassificationSymbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 0.5 APC Collector Power Dissipation 0.625 WTJ Junction Temperature 150 °CTSTG Storage Temperature -55 ~ 150 °C 库存现货，原装，质量保证！价格优惠！欢迎来电咨询订购！联系电话：0755-29375881 13723705758 周先生 业务QQ：51202...
