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供应场效应管4N60 DG4N60 TO-220 原装

价 格: 1.00
漏极电流:100(mA)
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
耗散功率:250(mW)
跨导:4000(μS)
型号:4N60
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
开启电压:2(V)
品牌:东光
用途:SW-REG/开关电源
沟道类型:N沟道
夹断电压:650(V)
导电方式:耗尽型
低频噪声系数:23(dB)
极间电容:8(pF)

产品参数 T=25

 

Characteristics(参数)Symbol(符号)Value(额定值)Units(单位)
漏源反向击穿电压BV dss600V
连续漏极电流I d4.4A
栅源电压V gs±30V
雪崩能量E as260mJ
耗散功率P d106W
储存温度T stg-55~150
热阻(结到壳)R jc1.18℃/W
正向压降V sd1.4V

周善朗
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
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