价 格: | 8.50 | |
品牌: | LT/凌特 | |
型号: | FDP2532 TO-220AB & FDB TO-263 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1.5~4(V) | |
夹断电压: | 150(V) | |
跨导: | 80000000(μS) | |
极间电容: | 12600(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 62000(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
VDS=150V, ID=39A(TC=100℃),TO-220AB & TO-263,
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=10V, ID=50A
"VDS=30V, ID=30A(TC=100 °C), TO-252 & TO-263 & TO-220AB RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 10V, IDS=20A; RDS(ON) <17.5mΩ @VGS = 4.5V, IDS=10A;"
N-MOSFET, VDS=100V, ID=9A, TO-252,160mΩ@VGS=10V,ID=5A, "