供应原装MUR1560G
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | MUR1560G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | HF/高频(射频)放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购
描述- 二极管类型:快速恢复
- 电压, Vrrm:600V
- 电流, If 平均:15A
- 正向电压 Vf :1.5V
- 时间, trr :60ns
- 电流, Ifs :150A
- 封装形式:TO-220AC
- 针脚数:2
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 器件标记:MUR1560
- 封装类型:TO-220AC
- 时间, trr 典型值:60ns
- 正向电压, 于If:1.5V
- 正向电流 If:15A
- 电流, Ifsm:150A
- 结温, Tj :175°C
- 表面安装器件:轴向引线
深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李俊龙
- 电话：0755-83957788
- 传真：0755-83957788
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信息内容：现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/8773/18877379.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.4 Ohms 汲极/源极击穿电压:30 V闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流:2 A功率耗散:2 W 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:MPT3
