热价优势供应进口Vishay品牌MOSFET SIHG20N50
| 价 格： | 4.50 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 型号/规格： | SIFG20N50 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
FEATURES
• Low Figure-of-Merit Ron x Qg
• 100 % Avalanche Tested
• High Peak Current Capability
• dV/dt Ruggedness
• Improved Trr/Qrr
• Improved Gate Charge
• High Power Dissipations Capability
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 宋哲
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UTC单向可控硅XL1225 ML1225
信息内容：1,高品质国产1225和PCR406现货热卖！MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTORDESCRIPTIONThe XL1225/ML1225 silicon controlled rectifiers are highperformance planner diffused PNPN devices. These parts areintended for low cost high volume applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPARAMETERS SYMBOL TEST CONDITION RATING UNITSRepetitive Peak Off-State VoltagePCR406-6PCR406-5VDRM Tj=40 to 125°C(RGK =1kΩ)400300VOn-State Current IT(RMS) Tc=40°C 0.8 AAverage On-State Current IT(AV) Half Cycle=180, Tc=40°C 0.5 APeak Reverse Gate Voltage VGRM IGR=10uA 1 VPeak Gate Current IGM 10us Max. 0.1 AGate Dissipation PG(AV) 20ms Max. 150 mWOperating Temperature Tj -40~125 °CStorage Temperature TSTG -40~125 °CSoldering Temperature TSLD 1.6mm from case 10s Max. 250 °C"
NCE新洁能 高品质MOS，NCE60H15 TO-220
信息内容：GENERAL FEATURES● V =60V,I =150A DS D RDS(ON) <4.5m? @ VGS=10V Schematic diagram● High density cell design for ultra low Rdson● Fully characterized Avalanche voltage and current● Good stability and uniformity with high EAS● Excellent package for good heat dissipation● Special process technology for high ESD capability 粤嘉鸿电子是一家从事的电子元器件销售的一般纳税人企业，有多年的MOS管、电源IC、三极管的供应经验和渠道，是UTC（台湾友顺）的一线授权代理商。我们经营的产品广泛应用于开关电源、LED灯电源、适配器、车载逆变电源、液晶电视电源、DVD和DVB电源板、通信逆变电源、电动工具电源、应急灯电源、手机充电器等诸多领域。
