场效应管 IPB08CNE8NG 08CNE8N
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IPB08CNE8NG,MOS,85V,95A,0.0082Ω,263 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 极间电容： | 6690 | |
| 漏极电流： | 95A |
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IPB08CNE8NG,MOS,85V,95A,0.0082Ω,263
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场效应管 AP02N60P,SPP02N60S5
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供应场效应管 TK8A55DA,K8A55DA
信息内容：产品型号:TK8A55DA封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):7.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.07 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):800通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):163温度(℃): -55 ~150描述:550V,7.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
