供应场效应管 TK8A55DA,K8A55DA
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK8A55DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,550V,7.5A,1.07Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK8A55DA
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.07 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):800
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):163
温度(℃): -55 ~150
描述:550V,7.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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场效应管 FQPF8N60CF MDF8N60
信息内容：dzsc/18/8757/18875707.jpgFQPF8N60CF,MOS,600V,6.26A,1.5Ω,220F
场效应管 BLV740,BLV840,BLV730
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.500V,P沟道场效应管（MOSFET）:FQD3P50 FAIRCHILD SOT-252 P场500V,N沟道贴片场效应管（MOSFET）:FQD1N50TM FAIRCHILD SOT-252FQD2N50TM FAIRCHILD SOT-252FQD5N50TM FAIRCHILD SOT-252IRFR420B FAIRCHILD SOT-252IRFR430BTM FAIRCHILD SOT-252STD4NK50ZT4 ST SOT-252STD5NM50T4 ST SOT-252IRF840STRR IR SOT-263IRFS11N50ATRL IR SOT-263IRFW830 FAIRCHILD SOT-263STB10NB50T4 ST SOT-263500V,N沟道直插场效应管（MOSFET）:2SK1010-01MR FUJ TO-2202SK1981 FUJ TO-220FQP4N50 FAIRCHILD TO-220FQP6N50 FAIRCHILD TO-220IRF820 IR TO-220IRF840 IR TO-220IRF840 ST TO-220RFP9N50 HARRIS/哈里斯 TO-220STP12NM50N ST TO-220STP25NM50N ST TO-220STP8NC50 ST TO-2202SK2842 TOSHIBA TO-220F2SK3469 FUJ TO-220F2SK3505-01MR FUJ TO-220F2SK3561 TOSHIBA TO-220F2SK3683-01MR FUJ TO-...
