场效应 2SK2424 K2424 2SK1606 K1606
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 8A | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | 2SK2424,MOS,450V,8A,0.55Ω,220F 2SK2363,MOS,450V,8A | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | Hitachi/日立 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | ±30 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 1450 , 1300 |
产品型号:2SK2424
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):1450 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,8A N沟道硅MOSFET 带二极管保护
应用:高速功率开关,开关稳压器，DC - DC转换器
特点
.低导通电阻
.高速开关
.低驱动电流
.无二次击穿
产品型号:2SK1606
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):1300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,8A Silicon N-Channel Power F-MOS FET
特点:
.高雪崩能量容量
.VGSS：30V保证
.低RDS（ON）时，高速开关特性
应用:
.高速开关（开关电源）
.对于高频功率放大
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场效应管 IPB08CNE8NG 08CNE8N
信息内容：dzsc/18/8756/18875670.jpgIPB08CNE8NG,MOS,85V,95A,0.0082Ω,263
场效应管 AP02N60P,SPP02N60S5
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！热卖场效应-MOS，TO-220系列，全新!价格优惠!现货供应!AOT428/BL中国,TO-220,AO,DIP/MOS,75V.80AAP70L02P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,25V.66AAP40N03P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,30V.40AAP60N03P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,30V.60AAP40T03GP,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,30V.40AAP6679P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,-30V.-75AAP02N60P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,600V.2ACEPF640,TO-220,CET/华瑞,DIP/MOS,200V.18ACEP703AL,TO-220,CET/华瑞,DIP/MOS,30V.40A MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源 （DIP）场效应： 30V-80V：FDP6676、FDU6680、IRLU3103、IRLU7821、ISL9N312AD3、STP55NF06、STP60NF06、STP65NF06、...等 （DIP）场效应：100V-400V:IRFB4310 2SK1101=2SK2952、FDP3652、FS20KM-5、IRF630、IRFS640B。IRLI3615。STP11NB40ZFP IRFIB7N50APBF、STP19NB20FP （DIP）场效应：500V-900V：2SK1010、2SK2101、2SK3505、2SK3683、FS3KM-18A、IRFS830B、SPA06N80C3\...等 （SMD）场效应：30V-80V:AP60N03、BUK109-5...
