东芝代理,原装现货供应,2SK3563
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号/规格： | 2SK3563 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
| 部件型号 | 2SK3563 | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 5 A | |
| 漏功耗PD | 35 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 16 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.5 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
上海琼创电子科技有限公司
公司信息未核实
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