华强实体店供应场效应管 FQNL2N50B/FQNL2N50/2N50
| 价 格： | 0.50 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQNL2N50B | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2-4（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 漏极电流： | 0.35A（mA） | |
| 耗散功率： | 1.5W（mW） |
標準包裝 6,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
Series QFET
安裝類型 通孔
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 350mA
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 9 歐姆 @ 135mA, 10V
Vds時的輸入電容(Ciss) 230pF @ 25V
功率 - 1.5W
封裝 散裝
閘電流(Qg) @ Vgs 8nC @ 10V
封裝/外殼 TO-92L
FET特點 標準
- 所属城市：广东 深圳
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特价供应直插场效应管 IRF640/IRF640B 可代替IRF640N
信息内容：描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:18A电压, Vds :200V在电阻RDS（上）:180mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:125W功耗:125W封装类型:TO-220AB晶体管类型:漏极电流, Id 值:18A热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:72A表面安装器件:通孔安装
【华强实体店供应】高压MOS管 FQPF12N60C/FQPF12N60/12N60
信息内容：描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:12A电压, Vds :600V在电阻RDS（上）:650mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:51W功耗:51W封装类型:TO-220F晶体管数:1漏极电流, Id 值:12A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:48A表面安装器件:通孔安装"
