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特价供应直插场效应管 IRF640/IRF640B 可代替IRF640N

价 格: 1.20
品牌/商标:国产
型号/规格:IRF640
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2-4(V)
夹断电压:0(V)
漏极电流:18A(mA)
耗散功率:125W(mW)

描述

  • 晶体管极性:N沟道
  • 电流, Id 连续:18A
  • 电压, Vds :200V
  • 在电阻RDS(上):180mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:125W
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 晶体管类型:
  • 漏极电流, Id 值:18A
  • 热阻, 结至外壳 A:1°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电压, Vgs :20V
  • 电流, Idm 脉冲:72A
  • 表面安装器件:通孔安装

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
  • 传真:755-83200113
  • 手机:
  • QQ :
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【华强实体店供应】高压MOS管 FQPF12N60C/FQPF12N60/12N60

信息内容:

描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:12A电压, Vds :600V在电阻RDS(上):650mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:51W功耗:51W封装类型:TO-220F晶体管数:1漏极电流, Id 值:12A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:48A表面安装器件:通孔安装"

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【华强实体店供应】贴片场效应管FQD20N06/D20N06/20N06

信息内容:

图片只做观看之用,请参考产品描述。MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK dzsc/18/8763/18876345.jpg

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