价 格: | 1.20 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | IRF640 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
漏极电流: | 18A(mA) | |
耗散功率: | 125W(mW) |
描述
描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:12A电压, Vds :600V在电阻RDS(上):650mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:51W功耗:51W封装类型:TO-220F晶体管数:1漏极电流, Id 值:12A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:48A表面安装器件:通孔安装"
图片只做观看之用,请参考产品描述。MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK dzsc/18/8763/18876345.jpg