FDD6688
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | LT/凌特 | |
| 型号： | FDD6688 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 1~3（V） | |
| 夹断电压： | 30（V） | |
| 跨导： | 80000000（μS） | |
| 极间电容： | 2390（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 84000（mA） | |
| 耗散功率： | 2500（mW） |
N-MOS，VDS=30V，ID=70A(Tc=100℃), TO-252,
RDS(ON) < 5mΩ @VGS = 10V, ID = 30A;
RDS(ON) < 6mΩ @VGS = 4.5V, ID = 24A;
深圳市澜腾达科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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FDP2532 TO-220AB & FDB TO-263
信息内容：VDS=150V, ID=39A(TC=100℃),TO-220AB & TO-263, RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=10V, ID=50A"
IRFR3707 TO-252&TO-220A&TO-263
信息内容：VDS=30V, ID=30A（TC=100 °C), TO-252 & TO-263 & TO-220AB RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 10V, IDS=20A; RDS(ON) <17.5mΩ @VGS = 4.5V, IDS=10A;"
