价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STW9N150 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
极间电容: | 3600(pF) | |
漏极电流: | 8000(mA) | |
耗散功率: | 350000(mW) |
• VDS=1500V
• ID=8A
• 导通电阻:R<2.7Ω
• 总耗散功率:350W
• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
Features• 650V @TJ = 150°C• Typ. RDS(on) = 0.15Ω• Ultra low gate charge (typ. Qg = 75nC)• Low effective output capacitance (typ. Coss.eff = 165pF)• 100% avalanche tested
•VDS=60V•ID=18A•RDS(ON)=0.054Ω•封装形式:DPAK•耗散功率:PD=55W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 175°C "