IR 全些列 场效应管(MOSFET)IRF5210，IRF9530N，IRF9540
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF5210PBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MAP/匹配对管 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 10（V） | |
| 夹断电压： | 25（V） | |
| 极间电容： | 2700（pF） | |
| 漏极电流： | 24（mA） | |
| 耗散功率： | 200（mW） |
数据列表 IRF5210PbF
产品相片 TO-220AB PKG
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 24A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 40A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2700pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRF5210PBF
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