价 格: | 面议 | |
品牌: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号: | MDP10N50TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 30(V) | |
夹断电压: | 500(V) | |
跨导: | 12800(μS) | |
极间电容: | 862(pF) | |
漏极电流: | 10000(mA) | |
耗散功率: | 141000(mW) |
产品广泛应用于控制器,转换器,家用电器,智能电源
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:TO-220
适用于:开关电源,HID,镇流器,PFC等•VDS=400V•ID=3.4A•导通电阻:RDS(ON)≤1.6Ω•耗散功率:45W•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:SO-8•导通电阻:RDS(ON)=43mΩ•栅极电荷量:QGD=7.4nC• 反向恢复时间:Trr=62nS•漏极电流:ID=5.1A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "