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供应 美格拉(纳)MOS 管—MDP10N50TH 原装

价 格: 面议
品牌:MagnaChip(美格纳半导体)
型号:MDP10N50TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:30(V)
夹断电压:500(V)
跨导:12800(μS)
极间电容:862(pF)
漏极电流:10000(mA)
耗散功率:141000(mW)

产品广泛应用于控制器,转换器,家用电器,智能电源 

 

 

 •工作温度范围:-55 ~ 150°C

 •封装形式:TO-220

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
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信息内容:

适用于:开关电源,HID,镇流器,PFC等•VDS=400V•ID=3.4A•导通电阻:RDS(ON)≤1.6Ω•耗散功率:45W•工作温度范围:-55 ~ 150°C

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供应IR原装功率MOS——IRF7815PBF

信息内容:

•封装形式:SO-8•导通电阻:RDS(ON)=43mΩ•栅极电荷量:QGD=7.4nC• 反向恢复时间:Trr=62nS•漏极电流:ID=5.1A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "

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