价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDI5N40TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
跨导: | 2000(μS) | |
极间电容: | 290(pF) | |
漏极电流: | 3400(mA) | |
耗散功率: | 45000(mW) |
适用于:开关电源,HID,镇流器,PFC等
•VDS=400V
•ID=3.4A
•导通电阻:RDS(ON)≤1.6Ω
•耗散功率:45W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:SO-8•导通电阻:RDS(ON)=43mΩ•栅极电荷量:QGD=7.4nC• 反向恢复时间:Trr=62nS•漏极电流:ID=5.1A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "
N-CHANNEL 75V - 0.0065 Ω-120A STripFET II POWER MOSFET•ID=120A•VDSS=75V•导通电阻:RDS(ON)=0.0065Ω•工作温度范围:-55 ~ 175°C•功率耗散:Ptot=310W•开启延迟时间:30ns•关断延迟时间:130ns "