让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>供应美格拉原装MOS——MDI5N40TH

供应美格拉原装MOS——MDI5N40TH

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDI5N40TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
跨导:2000(μS)
极间电容:290(pF)
漏极电流:3400(mA)
耗散功率:45000(mW)

 适用于:开关电源,HID,镇流器,PFC等

•VDS=400V

•ID=3.4A

•导通电阻:RDS(ON)≤1.6Ω

•耗散功率:45W

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
  • 手机:15216657665/18964602998
  • QQ :QQ:17149511QQ:376861332
公司相关产品

供应IR原装功率MOS——IRF7815PBF

信息内容:

•封装形式:SO-8•导通电阻:RDS(ON)=43mΩ•栅极电荷量:QGD=7.4nC• 反向恢复时间:Trr=62nS•漏极电流:ID=5.1A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "

详细内容>>

供应ST原装功率MOS——STP140NF75

信息内容:

N-CHANNEL 75V - 0.0065 Ω-120A STripFET II POWER MOSFET•ID=120A•VDSS=75V•导通电阻:RDS(ON)=0.0065Ω•工作温度范围:-55 ~ 175°C•功率耗散:Ptot=310W•开启延迟时间:30ns•关断延迟时间:130ns "

详细内容>>

相关产品