价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRL3705NPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 10(V) | |
极间电容: | 3600(pF) | |
漏极电流: | 46(mA) | |
耗散功率: | 170(mW) |
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数据列表 IRL3705NPbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 10 毫欧 @ 46A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 89A
Id 时的 Vgs(th)() 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V
功率 - 170W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRL3705NPBF
dzsc/18/8751/18875106.jpg(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFR4105PBF - 场效应管 MOSFET N D-PAK 55V 25A dzsc/18/8751/18875106.jpg
数据列表 IRF5210PbF 产品相片 TO-220AB PKG 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 24A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 40A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 180nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2700pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF5210PBF【推荐】控制ICIR2103,IR2103S,IR2104S,IR2153,IR2153S,IR2155,IR2110,IR2111,IR2111S,IR2520D,IR2109,IR2101,IR2117,IR2161,IR2151....【推荐】肖特基二极管,快恢复管,集成电路30CPQ100,HFA08TB60,HFA16TA60C,8ETH06,15ETH06,11DQ10,MC33063ADR2G,MC34063ADR2G,HEF4046BT,MUR860,VIPER12A,VIPER22A....【主推】IR,ST场效应管(MOSFET) 强势库存,优势价格IRL2203N,IRFD120,IRF7313,IRF7314,IRL3803S,IRLML2502,IRLML6302,IRFR120N,IRFR220N,IRFR9024N,IRF530N,IRF5305,IRF540,IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF644,IR...