供应场效应2SK2018(图)
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | FUJI/富士通 | |
| 型号： | 2SK2018 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 45（V） | |
| 夹断电压： | 55（V） | |
| 跨导： | 45（μS） | |
| 极间电容： | 50（pF） | |
| 低频噪声系数： | 50（dB） | |
| 漏极电流： | 120（mA） | |
| 耗散功率： | 50（mW） |
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"蔡楚杰
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