价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB5620PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 37000(μS) | |
极间电容: | 1710(pF) | |
漏极电流: | 25000(mA) | |
耗散功率: | 144000(mW) |
•导通电阻:RDS(on) = 72.5mΩ
•封装形式:TO-220ABN−Channel 3.0 Amps 60 Volts Power MOSFET适用于:电源,转换器,功率控制马达,桥电路等 •无铅包装 •封装:SOT-223 •工作温度范围:-55 to 175°C •开启延迟时间:20ns •关断延迟时间:45ns
80V N-Channel MOSFET应用于:直流电机,DC\\DCD等 •导通电阻:RDS(on) = 0.016Ω @VGS = 10 V•工作温度范围:-55 ~ 175°C•开启延迟时间:30ns•关断延迟时间:100ns•反向恢复时间:87ns "