价 格: | 1.68 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | NTF3055-100T1G | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 32000(μS) | |
极间电容: | 455(pF) | |
漏极电流: | 3000(mA) | |
耗散功率: | 2100(mW) |
N−Channel 3.0 Amps 60 Volts Power MOSFET
适用于:电源,转换器,功率控制马达,桥电路等
•无铅包装
•封装:SOT-223
•工作温度范围:-55 to 175°C
•开启延迟时间:20ns
•关断延迟时间:45ns
80V N-Channel MOSFET应用于:直流电机,DC\\DCD等 •导通电阻:RDS(on) = 0.016Ω @VGS = 10 V•工作温度范围:-55 ~ 175°C•开启延迟时间:30ns•关断延迟时间:100ns•反向恢复时间:87ns "
500V N沟道MOSFET13A, 500V, RDS(on) = 0.48Ω @VGS = 10 V工作温度范围:-55 ~ 150°C