价 格: | 0.01 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF630NPBF IRF630N IRF630 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 200(V) | |
极间电容: | 575(pF) | |
漏极电流: | 9.3(mA) | |
耗散功率: | 82(mW) |
dzsc/18/8746/18874649.jpg
IRF630N |
TO-220AB PKG |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
300 毫欧 @ 5.4A, 10V |
200V |
9.3A |
4V @ 250µA |
35nC @ 10V |
575pF @ 25V |
82W |
通孔 |
TO-220-3 |
管件 |
TO-220AB |
(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFR4104PBF - 场效应管 MOSFET N D-PAK dzsc/18/8746/18874655.jpg
dzsc/18/8748/18874848.jpgdzsc/18/8748/18874848.jpgdzsc/18/8748/18874848.jpgdzsc/18/8748/18874848.jpgdzsc/18/8748/18874848.jpg数据列表 IRL3705NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 10 毫欧 @ 46A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 89A Id 时的 Vgs(th)() 2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 98nC @ 5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V 功率 - 170W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRL3705NPBF 科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。代理分销优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。 ATMEL FREESCALE MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF...