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IRF630NPBF MOSFT N-Channel 200V 9.5A 300mOhm 23.

价 格: 1.58
封装外形:SP/特殊外形
型号/规格:IRF630NPBF
材料:N-FET硅N沟道
用途:SW-REG/开关电源
品牌/商标:IR/国际整流器
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

制造商:International Rectifier 
RoHS:dzsc/18/8746/18874614.jpg  
晶体管极性:N-Channel 
汲极/源极击穿电压:200 V 
闸/源击穿电压: /- 20 V 
漏极连续电流:9.3 A 
电阻汲极/源极 RDS(导通):300 mOhms 
配置:Single 
工作温度: 175 C 
安装风格:Through Hole 
封装 / 箱体:TO-220AB 
封装:Tube 
下降时间:15 ns 
正向跨导 gFS(值/最小值):4.9 S 
栅极电荷 Qg:23.3 nC 
最小工作温度:- 55 C 
功率耗散:82 W 
上升时间:14 ns 
工厂包装数:50 
典型关闭延迟时间:27 ns
"

深圳市欧泰欣电子科技有限公司
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信息内容:

造商:NXP产品种类:双向可控硅RoHS:dzsc/18/8765/18876501.jpg 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V开启状态 RMS 电流 (It RMS):4 A关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA栅触发电压 (Vgt):0.7 V栅触发电流 (Igt):11 mA保持电流(Ih 值):15 mA正向电压下降:1.4 V安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube重复峰值正向闭塞电压:600 V 工厂包装数量:50 "

详细内容>>

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信息内容:

制造商:International Rectifier RoHS:dzsc/18/8773/18877357.jpg 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:33 A 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB 封装:Tube 栅极电荷 Qg:47.3 nC 功率耗散:140 W

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