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IRF540NPBF MOSFET 100V 33A 44mOhm 47.3nC TO220AB

价 格: 2.40
封装外形:SP/特殊外形
型号/规格:IRF540NPBF
材料:N-FET硅N沟道
用途:SW-REG/开关电源
品牌/商标:IR/国际整流器
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

制造商:International Rectifier 
RoHS:dzsc/18/8773/18877357.jpg  
晶体管极性:N-Channel 
汲极/源极击穿电压:100 V 
闸/源击穿电压:20 V 
漏极连续电流:33 A 
安装风格:Through Hole 
封装 / 箱体:TO-220AB 
封装:Tube 
栅极电荷 Qg:47.3 nC 
功率耗散:140 W

深圳市欧泰欣电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 熊文彪
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优势供应IR系列MOS管 IRF530NPBF

信息内容:

制造商:International Rectifier RoHS:dzsc/19/0573/19057385.jpg 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:17 A 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB 封装:Tube 栅极电荷 Qg:24.7 nC 功率耗散:79 W 工厂最小包装:50

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X0405MF 单向 可控硅 ST 现货供应

信息内容:

制造商:STMicroelectronics产品种类:SCRRoHS:dzsc/19/1327/19132752.jpg 转折电流 IBO:33 A额定重复关闭状态电压 VDRM:0.1 V关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA正向电压下降:1.8 V栅触发电压 (Vgt):0.8 V栅极峰值反向电压:8 V栅触发电流 (Igt):0.05 mA保持电流(Ih 值):5 mA安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-202封装:Bulk工厂包装数量:250 "

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