价 格: | 0.10 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | TK6A50D | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | LMP-C/阻抗变换 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | TK6A50D | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 500 V | |
漏电流ID | 6 A | |
漏功耗PD | 35 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 11 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.4 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
部件型号2SK3563 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID5 A 漏功耗PD35 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)16 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.5 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 马来西亚
属性值条件部件型号TK11A45D 极性N沟 漏源电压VDSS450 V 漏电流ID11 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)20 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.62 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 马来西亚 RoHS Compatible Product(s) (#)Available