场效应管 ISL9N322AD3ST N322AD ISL9N322
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 20A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | ISL9N322AD3ST,MOS,30V,20A,0.022Ω,252 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | INTERSIL/英特矽尔 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 970 |
产品型号:ISL9N322AD3ST
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):970
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,20A N-Channel 功率MOSFET
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MOS管 AP60T03AH 60T03 AP60T03
信息内容：产品型号规格书（PDF文件）直接向业务员索取。 具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！ 产品型号:AP60T03AH封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):45源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):44极间电容Ciss(PF):1135通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：25单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,45A N-channel MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 2SK2642-01MR,2SK2642,K2642
信息内容：2SK2642-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，15A，0.55Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.500V,P沟道场效应管（MOSFET）:FQD3P50 FAIRCHILD SOT-252 P场500V,N沟道贴片场效应管（MOSFET）:IRF840STRR,MOS,500V,8AFQD3N50CTMF101,FQD3N50C,FQD3N50,3N50 SOT-252 FAIRCHILD SMD/MOS N场 500V 2.5A 2.5ΩKF5N50DZ,KF5N50D,KF5N50,5N50DZ,5N50D,5N50 SOT-252 KEC SMD/MOS 双N 500V 4.3A 1.4ΩKIA830H,KIA830 SOT-252 KIA DIP/MOS N场 500V 4.5A 1.5ΩFQD1N50TM,FQD1N50,1N50 FAIRCHILD SOT-252FQD2N50TM,FQD2N50,2N50 FAIRCHILD SOT-252FQD5N50TM,FQD5N50,5N50 FAIRCHILD SOT-252IRFR420B,IRFR420,FR420B,FR420 FAIRCHILD SOT-252IRFR430BTM,IRFR430B,IRFR430,FR430B,FR430 FAIRCHILD SOT-252STD4NK50ZT4,STD4NK50Z,STD4NK50,D4NK50Z,4NK50 ST SOT-252STD5NM50T4,STD5NM50,D5NM50,5NM50 ST SOT-252IRF840S...
