价 格: | 面议 | |
漏极电流: | - | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | AP60T03AH AP/富鼎 SOT-252 30V 45A | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | 其他 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
低频噪声系数: | - | |
极间电容: | - |
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产品型号:AP60T03AH
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):44
极间电容Ciss(PF):1135
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,45A N-channel MOSFET
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2SK2642-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,15A,0.55Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应!MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.500V,P沟道场效应管(MOSFET):FQD3P50 FAIRCHILD SOT-252 P场500V,N沟道贴片场效应管(MOSFET):IRF840STRR,MOS,500V,8AFQD3N50CTMF101,FQD3N50C,FQD3N50,3N50 SOT-252 FAIRCHILD SMD/MOS N场 500V 2.5A 2.5ΩKF5N50DZ,KF5N50D,KF5N50,5N50DZ,5N50D,5N50 SOT-252 KEC SMD/MOS 双N 500V 4.3A 1.4ΩKIA830H,KIA830 SOT-252 KIA DIP/MOS N场 500V 4.5A 1.5ΩFQD1N50TM,FQD1N50,1N50 FAIRCHILD SOT-252FQD2N50TM,FQD2N50,2N50 FAIRCHILD SOT-252FQD5N50TM,FQD5N50,5N50 FAIRCHILD SOT-252IRFR420B,IRFR420,FR420B,FR420 FAIRCHILD SOT-252IRFR430BTM,IRFR430B,IRFR430,FR430B,FR430 FAIRCHILD SOT-252STD4NK50ZT4,STD4NK50Z,STD4NK50,D4NK50Z,4NK50 ST SOT-252STD5NM50T4,STD5NM50,D5NM50,5NM50 ST SOT-252IRF840S...
HFS7N60,MOS,600V,7A,1.2Ω,220F深圳市金城微零件有限公司主要经营场效应管(MOS管),广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具、功率开关、LED、车载、玩具、电动车、电脑主板、安定器.公司代理KIA系列MOS管:KIA2N60PF TO-220F 10NPB KIA DIP/MOS N场 600V 2A 5ΩKIA3205N TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 55V 110A 0.008ΩKIA4N60PF TO-220F 10NPB KIA DIP/MOS N场 600V 4A 2.4ΩKIA50N06 TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 60V 50A 0.23ΩKIA50N06A TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 60V 50A 0.019ΩKIA65N06 TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 60V 65A 0.016ΩKIA7N60HF TO-220F 10NPB KIA DIP/MOS N场 600V 7.4A 1ΩKIA830H SOT-252 10NPB KIA DIP/MOS N场 500V 5A 1.5ΩKIA5N60E 10NPB KIA TO-220 DIP/MOS N场 600V 4.5A 2.5ΩKIA3710 KIA3205 KIA50N06 KIA65N06 KIA75N75 KIA1N60 KIA2N60 KIA4N60 KIA5N60 KIA,可直接取代IRF3710,IRF3205,IRFZ44,IRFZ48,IRF730,IRF830,IRF740,IRF840