场效应管 IPDH9N03,IPD090N03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IPDH9N03LAG,MOS,25V,30A,0.0092Ω,252 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
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IPD04N03LAG,MOS,25V,50A IPD05N03LAG,MOS,25V,50A
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 2SK2765 2SK2765-01 K2765
信息内容：产品型号:2SK2765-01封装:TO-3P源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):7源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.5功率PD(W):125极间电容Ciss(PF):900通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4单脉冲雪崩能量EAS(mJ):267温度(℃): -55 ~150描述:800V,7A N-channel MOSFET应用:开关调节器UPSDC-DC变换器通用电源功放如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 ISL9N322AD3ST N322AD ISL9N322
信息内容：产品型号:ISL9N322AD3ST封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):20源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):50极间电容Ciss(PF):970通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,20A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
