价 格: | 面议 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | 2SK4111 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 00(V) | |
夹断电压: | 00(V) | |
低频跨导: | 00(μS) | |
极间电容: | 00(pF) | |
低频噪声系数: | 00(dB) | |
漏极电流: | 00(mA) | |
耗散功率: | 00(mW) |
部件型号 | 2SK4111 | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 600 V | |
漏电流ID | 10 A | |
漏功耗PD | 45 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.75 Ω | |
封装 | TO-220NIS | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
装配基础 | 日本, 泰国 |
部件型号2SK2962 极性N沟 漏源电压VDSS100 V 漏电流ID1 A 漏功耗PD900 mW 门电荷总数Qg(nC) (标准)6.3 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4V0.95 Ω 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.7 Ω 封装TO-92MOD 产品分类功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) 装配基础日本, 马来西亚
部件型号TLP127 特征高VCEO 封装:外形形状MFSOP6 管脚数4 表面安装型Y 转换效率(最小)1000 %IF=1mA, VCE=1V集电极-发射极饱和电压VCE(sat)(V) ()1.2 VIC=100mA, IF=10mA集电极-发射极电压VCEO300 V 绝缘耐压BVS@1minute (最小)2500 Vrms 安全标准UL已认证 安全标准TÜV已认证 安全标准VDE满足VDE0884设计 安全标准BSI已认证(EN60065, EN60950) 安全标准IEC- 安全标准的补充说明VDE0884选配件已认证 (V4) 备注 产品分类光耦(达林顿晶体管输出器件)