价 格: | 面议 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | 2SK2962 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 | |
开启电压: | 00(V) | |
夹断电压: | 00(V) | |
低频跨导: | 00(μS) | |
极间电容: | 00(pF) | |
低频噪声系数: | 00(dB) | |
漏极电流: | 00(mA) | |
耗散功率: | 00(mW) |
部件型号 | 2SK2962 | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 100 V | |
漏电流ID | 1 A | |
漏功耗PD | 900 mW | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 6.3 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4V | 0.95 Ω | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.7 Ω | |
封装 | TO-92MOD | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 |
部件型号TLP127 特征高VCEO 封装:外形形状MFSOP6 管脚数4 表面安装型Y 转换效率(最小)1000 %IF=1mA, VCE=1V集电极-发射极饱和电压VCE(sat)(V) ()1.2 VIC=100mA, IF=10mA集电极-发射极电压VCEO300 V 绝缘耐压BVS@1minute (最小)2500 Vrms 安全标准UL已认证 安全标准TÜV已认证 安全标准VDE满足VDE0884设计 安全标准BSI已认证(EN60065, EN60950) 安全标准IEC- 安全标准的补充说明VDE0884选配件已认证 (V4) 备注 产品分类光耦(达林顿晶体管输出器件)
属性属性值条件部件型号TLP350 特征中功率IGBT/MOSFET直接驱动,高速,反相器用于空调、电饭煲 封装:外形形状DIP8 管脚数8 表面安装型Y or N 表面贴装区分注意事项可以对应表面贴装等引线型 响应速度(NRZ) (标准)260 ns 变换效率 /-2.5A 峰值 (max) 绝缘耐压BVS@1minute (最小)3750 Vrms 安全标准UL已认证 安全标准VDEEN60747-5-2 已认证 产品分类光耦(光电IC输出器件) RoHS Compatible Product(s) (#)Available