价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FQPF12N60C | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 600(V) | |
极间电容: | 2290(pF) | |
漏极电流: | 12(mA) | |
耗散功率: | 51(mW) |
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FQP12N60C, FQPF12N60C |
TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
QFET™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
650 毫欧 @ 6A, 10V |
600V |
12A |
4V @ 250µA |
63nC @ 10V |
2290pF @ 25V |
51W |
通孔 |
TO-220-3 整包 |
管件 |
TO-220F |
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dzsc/18/8742/18874234.jpgdzsc/18/8742/18874234.jpg数据列表 IRF840PBF 产品相片 TO-220AB PKG标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4.8A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF840PBF 科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP150,IRFP350,IRFP360,IRD120,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N...
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