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Z0409MF 单向可控硅 ST 现货供应

价 格: 面议
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:Z0409MF 单向可控硅
控制方式:单向
极数:详见规格书
封装材料:塑料封装
封装外形:TO-202
关断速度:详见规格书
散热功能:不带散热片
额定正向平均电流:详见规格书(A)
控制极触发电流:详见规格书(mA)
稳定工作电流:详见规格书(A)
反向重复峰值电压:详见规格书(V)

制造商:STMicroelectronics
产品种类:双向可控硅
RoHS:dzsc/18/8736/18873697.jpg 
额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA
栅触发电压 (Vgt):1.3 V
栅触发电流 (Igt):10 mA
保持电流(Ih 值):10 mA
正向电压下降:2 V
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-202
封装:Bulk
重复峰值正向闭塞电压:600 V 
工厂包装数量:250 
"

深圳市欧泰欣电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 熊文彪
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IRF630NPBF MOSFT N-Channel 200V 9.5A 300mOhm 23.

信息内容:

制造商:International Rectifier RoHS:dzsc/18/8746/18874614.jpg 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:200 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流:9.3 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):300 mOhms 配置:Single 工作温度: 175 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB 封装:Tube 下降时间:15 ns 正向跨导 gFS(值/最小值):4.9 S 栅极电荷 Qg:23.3 nC 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:82 W 上升时间:14 ns 工厂包装数:50 典型关闭延迟时间:27 ns"

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BT136-600E NXP 双向可控硅 现货供应

信息内容:

造商:NXP产品种类:双向可控硅RoHS:dzsc/18/8765/18876501.jpg 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V开启状态 RMS 电流 (It RMS):4 A关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA栅触发电压 (Vgt):0.7 V栅触发电流 (Igt):11 mA保持电流(Ih 值):15 mA正向电压下降:1.4 V安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube重复峰值正向闭塞电压:600 V 工厂包装数量:50 "

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