| 价 格: | 0.50 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格: | AO3401 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 用途: | HI-REL/高可靠性 | |
| 品牌/商标: | AOS/美国万代 | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式: | 增强型 |
| 标准包装 | 3000 |
类别 | 分离是半导体产品 |
| 家庭 | FET-单 |
| 系列 | - |
| FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)@25℃ | 4.3A |
| 开态Rds()@Id,Vgs@25℃ | 44毫欧@4.3A,10V |
| Id时的Vgs(th)() | 1.3V@250uA |
| 闸电荷(Qg)@Vgs | 12.2nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)@Vds | 1200pF@15V |
| 功率- | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装3000类别分离是半导体产品家庭FET-单系列-FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id)@25℃5.7A开态Rds()@Id,Vgs@25℃26.5毫欧@5.7A,10VId时的Vgs(th)()1.5V@250uA闸电荷(Qg)@Vgs13nC@4.5V输入电容(Ciss)@Vds1100pF@15V功率-1.4W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应“原装AOS场效应MOS管AO3400 SOT23”如需求购“原装AOS场效应MOS管AO3400 SOT23”请联系我们 。
供应“原装国巨品牌 RC0402系列贴片电阻0402 1% 0.1R-0.97R”如需求购“原装国巨品牌 RC0402系列贴片电阻0402 1% 0.1R-0.97R”请联系我们 。