价 格: | 0.50 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | AO3400 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | HI-REL/高可靠性 | |
品牌/商标: | AOS/美国万代 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
标准包装 | 3000 |
类别 | 分离是半导体产品 |
家庭 | FET-单 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)@25℃ | 5.7A |
开态Rds()@Id,Vgs@25℃ | 26.5毫欧@5.7A,10V |
Id时的Vgs(th)() | 1.5V@250uA |
闸电荷(Qg)@Vgs | 13nC@4.5V |
输入电容(Ciss)@Vds | 1100pF@15V |
功率- | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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